Transistores 1.xls

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Presentacin de PowerPoint

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNINEl primer transistor el 23 de Dic. De 1947

Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden

Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de material tipo n ( p) y una capa entre ellas de material tipo p ( n).

Existen transistores npn pnp

Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector)

La capa del emisor est fuertemente dopadaLa del colector ligeramente dopadaY la de la base muy poco dopada, adems ms delgada.1nppBCE

Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-BaseTiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y Activo.ModoUnin E-BUnin C-BCorteInversoInversoActivoDirectoInversoSaturacinDirectoDirecto2

Transistores BJT en modo activopnnBCEIC=IS(eVBE/VT)En este modo la corriente de colector es determinada por la ecuacin anterior.La corriente de base es una fraccin de la corriente de colectorEl valor de es tpico de 100 a 200, y en dispositivos especiales hasta de 1000.La corriente del emisor es la suma de las corrientesIB=IC/IE=IC+IB=IC/3

Considere un transistor npn con VBE=0.7 cuando Ic=1mA. Encuentre VBE cuando la corriente del colector es 0.1mA y 10mA. (VT=25mV a temperatura ambiente)

Los transistores de cierto tipo se especifican para tener valores de en el intervalo de 50 a 100, encuentre el intervalo de valores de .4

Considere un transistor npn con VE=-0.7 , una =50 . Encuentre las corrientes de emisor, base y colector, adems el voltaje de colector.

5pnnBCE

BCEBCEBCETransistor BJT npnSmbolo Modelos de primer orden en modo activo IB+VBE-+VBE-IE

6

nppBCEBCEBCEBCETransistor BJT pnpSmbolo Modelos de primer orden en modo activo IB+VEB-+VBE-IE7

Configuracin de BASE comnLa corriente de colector es constante, por tanto el colector se comporta como una fuente de corriente constante en la regin activa.

Caractersticas de salida del transistor en configuracin de base comn.8

Caractersticas de salida del transistor en configuracin de emisor comn.Configuracin de EMISOR comn

A diferencia de la configuracin anterior, el voltaje CE si tiene influencia sobre la magnitud de la corriente de colector.9

Configuracin de COLECTOR comnEsta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al contrario de las otras dos configuraciones.

Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.

10

Punto de OperacinEl anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la operacin del mismo tanto en DC como en ACEl teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuitoUna vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de operacin deseado.Cada diseo determinar la estabilidad del sistemaEl punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal aplicada.

11

Circuito de polarizacin fija.

Recta de cargaVccIc/RcVariando RBVariando RC12

VccIc/Rc13

Polarizacin fija, y con RE

14

Polarizacin por divisor de voltaje

VE=(1/10)VccR2(1/10)REIcq=(1/2)ICSatRi=(+1)RE15

Saturacin: Mximos niveles de operacin

VCE=0RCE=0ICSat=Vcc/RcICSat=Vcc/(Rc+ RE)

16

Polarizacin por retroalimentacin de voltaje

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=100

=100

=100 18

=100

=100 19

Anlisis en AC de transistores BJTModelos del transistor:

Modelo reConfiguracin de base comnConfiguracin de emisor comnIc= IeIc= IeIc= Ib20

Modelo Hbrido Equivalente

Configuracin de emisor comnhie=rehfe= hoe=1/r0

Configuracin de base comnhib=rehfb= -

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